SH21B331K501CT 是一款由 Siliconix(现为 Vishay 公司旗下品牌)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET 第三代技术,具有极低的导通电阻和高开关速度,广泛应用于高效能电源管理领域。其封装形式为 PowerPAK SO-8,支持表面贴装工艺,适合高密度电路设计。
SH21B331K501CT 的主要应用包括 DC-DC 转换器、负载点调节器(POL)、同步整流、电机驱动以及便携式电子设备中的开关电源解决方案。
型号:SH21B331K501CT
类型:N 沟道功率 MOSFET
最大漏源电压 Vds:30V
最大栅源电压 Vgs:±20V
连续漏极电流 Id:42A(Tc=25°C),26A(Tc=100°C)
导通电阻 Rds(on):1.2mΩ(典型值,Vgs=10V)
栅极电荷 Qg:7nC(典型值)
输入电容 Ciss:1380pF(典型值)
总功耗 Ptot:2.9W(Tc=25°C)
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:PowerPAK SO-8
SH21B331K501CT 的主要特性如下:
1. 极低的导通电阻(Rds(on) 仅为 1.2mΩ),能够显著降低传导损耗,提高系统效率。
2. 高额定电流能力(高达 42A),适用于高功率密度的应用场景。
3. 快速开关性能,得益于较低的栅极电荷(Qg 为 7nC),可有效减少开关损耗。
4. 宽工作温度范围(-55°C 至 +175°C),确保在极端环境下的可靠性。
5. 采用先进的 TrenchFET 第三代技术,优化了芯片结构以提升性能。
6. 符合 RoHS 标准,满足环保要求。
7. 封装小巧且散热性能良好,非常适合紧凑型设计。
SH21B331K501CT 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关或同步整流管。
2. 通信设备和服务器中的负载点转换器(POL)。
3. 工业控制及消费类电子中的电机驱动电路。
4. 笔记本电脑和其他便携式设备中的电池管理系统。
5. 大电流 DC-DC 转换器,特别是需要高频工作的场合。
6. 各种高效能功率管理模块,如 LED 驱动器和逆变器。
该器件凭借其高性能和可靠性,成为众多高效率、小尺寸功率转换应用的理想选择。
IRF3710, AO3400A, FDP5500