时间：2025/7/2 17:54:16
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SH21B331K501CT 是一款由 Siliconix（现为 Vishay 公司旗下品牌）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET 第三代技术，具有极低的导通电阻和高开关速度，广泛应用于高效能电源管理领域。其封装形式为 PowerPAK SO-8，支持表面贴装工艺，适合高密度电路设计。
SH21B331K501CT 的主要应用包括 DC-DC 转换器、负载点调节器（POL）、同步整流、电机驱动以及便携式电子设备中的开关电源解决方案。
型号：SH21B331K501CT
类型：N 沟道功率 MOSFET
最大漏源电压 Vds：30V
最大栅源电压 Vgs：±20V
连续漏极电流 Id：42A（Tc=25°C），26A（Tc=100°C）
导通电阻 Rds(on)：1.2mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷 Qg：7nC（典型值）
输入电容 Ciss：1380pF（典型值）
总功耗 Ptot：2.9W（Tc=25°C）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：PowerPAK SO-8
SH21B331K501CT 的主要特性如下：
1. 极低的导通电阻（Rds(on) 仅为 1.2mΩ），能够显著降低传导损耗，提高系统效率。
2. 高额定电流能力（高达 42A），适用于高功率密度的应用场景。
3. 快速开关性能，得益于较低的栅极电荷（Qg 为 7nC），可有效减少开关损耗。
4. 宽工作温度范围（-55°C 至 +175°C），确保在极端环境下的可靠性。
5. 采用先进的 TrenchFET 第三代技术，优化了芯片结构以提升性能。
6. 符合 RoHS 标准，满足环保要求。
7. 封装小巧且散热性能良好，非常适合紧凑型设计。
SH21B331K501CT 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关或同步整流管。
2. 通信设备和服务器中的负载点转换器（POL）。
3. 工业控制及消费类电子中的电机驱动电路。
4. 笔记本电脑和其他便携式设备中的电池管理系统。
5. 大电流 DC-DC 转换器，特别是需要高频工作的场合。
6. 各种高效能功率管理模块，如 LED 驱动器和逆变器。
该器件凭借其高性能和可靠性，成为众多高效率、小尺寸功率转换应用的理想选择。
IRF3710, AO3400A, FDP5500
