SH21B331K500CT 是一款高性能的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件,主要应用于功率转换和电源管理领域。该型号采用 N 沟道增强型技术,具有低导通电阻和快速开关能力,适用于高频开关应用。其封装形式为 TO-263(D2PAK),能够有效提高散热性能并适应表面贴装工艺需求。
该器件广泛用于开关电源、电机驱动、负载切换以及其他需要高效率功率控制的场景。
最大漏源电压:50V
连续漏极电流:84A
导通电阻:1.4mΩ
栅极电荷:125nC
开关时间:典型值 9ns(开启),27ns(关闭)
工作结温范围:-55℃ 至 175℃
SH21B331K500CT 的核心优势在于其卓越的电气性能与可靠性。首先,它具备极低的导通电阻(仅 1.4mΩ),从而显著降低传导损耗,提升整体系统效率。其次,其快速的开关速度确保在高频工作条件下减少开关损耗,这使其非常适合于现代高效能设计。
此外,该器件采用了先进的制造工艺,以保证高温环境下长期稳定运行,并支持宽广的工作温度范围(-55℃ 至 175℃)。结合坚固的 TO-263 封装形式,SH21B331K500CT 能够满足工业级和汽车级应用的严格要求。
最后,此器件还具有较强的雪崩耐量能力,增强了对异常情况下的保护功能。
SH21B331K500CT 广泛应用于各种高功率密度的电子设备中,包括但不限于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):用于 DC-DC 转换器、反激式变换器等场景,提供高效的功率传输。
2. 电机驱动:支持电动工具、家用电器以及工业自动化中的无刷直流电机控制。
3. 电池管理系统:适用于电动汽车、储能系统等领域,进行精确的充放电管理。
4. 工业逆变器:在光伏逆变器、不间断电源(UPS)等场合实现可靠的能量转换。
5. 快速负载切换:如服务器、通信设备中的动态电源分配模块。
IRFP2907ZPBF, FDP18N50C, STP80NF50