时间：2025/7/10 3:12:27
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SH21B223K100CT 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）芯片，适用于高频开关和功率转换应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点，适合在电源管理、电机驱动和逆变器等场景中使用。
该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET，其封装形式通常为 TO-220 或 DPAK，便于散热和集成设计。通过优化的沟道结构和封装技术，SH21B223K100CT 在效率和可靠性方面表现出色。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：30A
导通电阻：2.5mΩ
栅极电荷：65nC
开关速度：50ns
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
1. 低导通电阻设计，减少功耗并提升效率。
2. 高击穿电压保证了在高压环境下的稳定性。
3. 快速开关速度降低了开关损耗，特别适合高频应用。
4. 宽工作温度范围，适应各种恶劣环境。
5. 内置保护功能，如过流保护和热关断，提高系统安全性。
6. 封装形式多样化，方便客户根据具体需求选择合适的方案。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管。
2. 电机驱动电路中的功率级控制。
3. DC-DC 转换器和逆变器的核心元件。
4. 工业自动化设备中的功率转换模块。
5. 电动车充电器及电池管理系统（BMS）。
6. 光伏逆变器和其他可再生能源相关设备。
IRFZ44N, FQP30N06L, STP30NF10
