时间：2025/6/22 6:54:39
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SH21B103K250CT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要应用于高效率电源转换和开关电路。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、快速开关速度和出色的热性能。它通常用于工业控制、消费电子以及通信设备中的电源管理模块。
SH21B103K250CT 属于 N 沟道增强型 MOSFET，能够在高频工作条件下提供高效的功率传输，同时保持较低的能量损耗。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：40A
导通电阻：1.8mΩ
栅极电荷：75nC
开关时间：开启延迟时间 12ns，关断下降时间 18ns
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
SH21B103K250CT 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，可以有效降低传导损耗。
2. 快速的开关速度，适合高频应用。
3. 高击穿电压设计，确保在高压环境下的稳定运行。
4. 出色的热性能，能够承受高温环境并保持长期可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电子产品中。
SH21B103K250CT 广泛应用于多种领域：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC/DC 转换器
3. 电机驱动与控制
4. 太阳能逆变器
5. 工业自动化设备中的功率管理模块
6. 通信基础设施中的高效电源解决方案
IRFZ44N, FDP55N20, STP55NF06
