时间：2025/7/1 18:33:12
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SH21B103K201CT 是一款高性能的功率 MOSFET，适用于多种电力电子应用领域。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，能够显著提高系统的效率和可靠性。
该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及负载开关等领域。其封装形式为 TO-263（DPAK），适合表面贴装技术（SMT），便于自动化生产和高密度设计。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：35A
导通电阻：2.8mΩ
栅极电荷：97nC
输入电容：2390pF
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
SH21B103K201CT 具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，可降低功率损耗，提升系统效率。
2. 高开关速度，支持高频应用，减少磁性元件体积。
3. 强大的电流处理能力，适用于大功率场景。
4. 优异的热性能，确保在高温环境下的稳定运行。
5. 小型化封装，节省 PCB 空间，适合紧凑型设计。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关管。
2. DC-DC 转换器的核心功率器件。
3. 各类电机驱动电路，包括无刷直流电机（BLDC）控制。
4. 汽车电子中的负载切换和保护功能。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制电路。
IRF3205
FDP16N60
STP36NF06L
