时间：2025/6/22 7:27:52
阅读：6
SH21B101K100CT 是一款由东芝（Toshiba）生产的高压功率MOSFET，属于N沟道增强型MOSFET。该器件采用TO-220AC封装形式，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各种需要高效开关的电路中。这款MOSFET以其高击穿电压、低导通电阻和快速开关特性而闻名，非常适合要求高效率和高可靠性的应用场合。
由于其出色的电气性能和散热设计，SH21B101K100CT 在工业控制、消费电子和汽车电子领域均有广泛应用。它具有较高的耐压能力，能够承受高达100V的工作电压，并且在高温环境下仍能保持稳定运行。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：3.6A
栅极阈值电压：2.0~4.0V
导通电阻（典型值）：150mΩ
总功耗：29W
工作温度范围：-55℃~175℃
封装形式：TO-220AC
SH21B101K100CT 的主要特性包括：
1. 高击穿电压：能够承受高达100V的漏源电压，适合多种高压应用场景。
2. 低导通电阻：典型值为150mΩ，有助于降低功率损耗并提高系统效率。
3. 快速开关速度：具备短开关时间，可有效减少开关损耗。
4. 高温稳定性：能够在-55℃到175℃的宽温度范围内可靠工作。
5. 小型化封装：采用标准TO-220AC封装，易于安装且具有良好的散热性能。
6. 静电防护设计：内置ESD保护功能，提高了器件的抗静电能力。
这些特性使得SH21B101K100CT 成为高性能功率转换和驱动应用的理想选择。
SH21B101K100CT 可用于以下场景：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. DC-DC转换器中的同步整流或主开关。
3. 各类电机驱动电路中的功率级组件。
4. LED驱动器中的负载开关。
5. 汽车电子系统的负载切换与控制。
6. 工业自动化设备中的继电器替代方案。
凭借其高效率和可靠性，这款MOSFET适用于对能耗和稳定性有较高要求的应用环境。
IRF540N
FDP5580
STP16NF06L
