SH18B334K100CT 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等电力电子应用领域。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提高系统效率并降低能耗。
这款器件通过优化的沟槽式结构设计,提供卓越的电气性能和热性能,同时具备良好的短路耐受能力和抗静电能力,确保在各种复杂环境下的稳定运行。
型号:SH18B334K100CT
类型:N-Channel MOSFET
VDS(漏源电压):100V
RDS(on)(导通电阻):3.5mΩ(典型值,@ VGS=10V)
ID(持续漏极电流):120A
功耗:100W(最大值)
封装形式:TO-247
工作温度范围:-55℃ to +175℃
栅极电荷:60nC
输入电容:3000pF
SH18B334K100CT 具备以下显著特性:
1. 极低的导通电阻RDS(on),有助于减少传导损耗,提升整体效率。
2. 快速的开关速度,降低了开关损耗,适用于高频应用。
3. 高击穿电压,确保其能够在高压环境下稳定工作。
4. 大电流承载能力,适合高功率应用场景。
5. 强大的短路保护功能,增强器件的可靠性。
6. 符合RoHS标准,绿色环保,适合多种工业要求。
SH18B334K100CT 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)的设计,用于高效能的能量转换。
2. 电机驱动,支持大电流输出以驱动各类电机。
3. DC-DC转换器,实现电压调节与稳定输出。
4. UPS不间断电源系统中的功率控制。
5. 电动汽车及混合动力汽车的动力管理系统。
6. 工业自动化设备中的功率模块,例如变频器和伺服驱动器。
IRFP260N
FDP16N10
STP120NF10