时间：2025/7/5 4:58:50
阅读：14
SH18B101K100CT 是一款由半导体制造商生产的高性能、低功耗的MOSFET晶体管。它主要应用于开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等场景，具有出色的导通电阻和快速的开关速度。
该器件采用了先进的制造工艺，在保证高可靠性和稳定性的同时，还具备良好的热性能和抗干扰能力。其封装形式为行业标准的小型化封装，便于在紧凑型电路板上使用。
型号：SH18B101K100CT
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（Vds）：100V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
持续漏极电流（Id）：10A
导通电阻（Rds(on)）：10mΩ（典型值，Vgs=10V时）
总功耗：1.5W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装：TO-263（DPAK）
SH18B101K100CT 的主要特性包括：
1. 高效的导通电阻，能够降低功率损耗，提高系统效率。
2. 快速开关速度，支持高频操作，适用于现代电力电子设备。
3. 内置ESD保护功能，增强器件的可靠性。
4. 宽泛的工作温度范围，适合各种恶劣环境下的应用。
5. 符合RoHS环保标准，满足全球市场准入要求。
6. 小型化封装设计，节省PCB空间并简化散热管理。
SH18B101K100CT 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器，如降压、升压及反激式拓扑结构。
3. 电机驱动控制，包括无刷直流电机（BLDC）和步进电机。
4. 汽车电子系统，例如LED驱动、电池管理系统（BMS）和负载切换。
5. 工业自动化设备中的功率调节与控制模块。
6. 便携式电子设备中的高效功率管理单元。
IRFZ44N
FDP5800
AO3400
