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SH15N120J500CT 发布时间 时间:2025/7/12 3:55:58 查看 阅读:3

SH15N120J500CT 是一款由上海先进半导体制造有限公司(Simgotek)生产的高压大功率MOSFET,采用N沟道增强型结构。这款器件适用于高电压应用场合,具有低导通电阻和良好的开关特性,能够显著提高系统效率并降低能量损耗。其主要用途包括开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率转换的工业电子设备。

参数

最大漏源电压:1200V
  连续漏极电流:15A
  导通电阻:3.6Ω
  栅极电荷:40nC
  总电容:380pF
  功耗:270W
  工作结温范围:-55℃ to +150℃
  封装形式:TO-247

特性

SH15N120J500CT 的主要特性包括高耐压能力,适合在高达1200V的工作环境下稳定运行;同时具备较低的导通电阻,从而减少传导损耗并提升效率。此外,该器件还具有快速开关速度,这有助于降低开关损耗,并且支持较宽的工作温度范围,确保了在极端环境下的可靠性。
  由于采用了先进的制造工艺,SH15N120J500CT 具有较高的雪崩击穿能力和鲁棒性,使其非常适合于要求严格的应用场景。散热性能,进一步增强了整体系统的稳定性。

应用

SH15N120J500CT 广泛应用于多种电力电子领域,包括但不限于以下方面:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
  2. 工业电机驱动和伺服控制器中的功率级元件。
  3. 太阳能逆变器及其他可再生能源发电系统的核心功率组件。
  4. 电动车及混合动力汽车的动力总成系统。
  5. 高频变压器和电磁炉等家用电器中的功率管理模块。

替代型号

IRG4PC30KD, STW93N120K5, FGH15N120MD

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