类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：180A
　　导通电阻（Rds(on)）：@10V Vgs，典型值为1.9mΩ；@4.5V Vgs，典型值为2.4mΩ
　　最大功率耗散：200W
　　封装类型：PowerFLAT 5x6
　　工作温度范围：-55°C ~ 175°C

SGSP477 的主要特性包括极低的导通电阻，有助于降低导通损耗并提高系统效率；具备高雪崩能量承受能力，增强了器件在高压尖峰环境下的可靠性。
　　该MOSFET采用先进的沟槽栅结构，优化了电场分布，提高了器件的开关性能和耐用性；其封装形式为PowerFLAT 5x6，具有良好的热性能和空间利用率，适用于高密度PCB设计。
　　此外，SGSP477 还具备快速开关能力，适用于高频应用，减少开关损耗；其栅极驱动电压兼容标准逻辑电平（可由3.3V或5V驱动），简化了驱动电路设计。
　　该器件还内置了静电放电（ESD）保护，提升了在生产、装配和使用过程中的抗静电能力。

SGSP477 主要应用于需要高效能功率管理的系统中，包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、电源管理模块、工业自动化设备以及高性能电源适配器等。
　　由于其低导通电阻和高电流承载能力，该器件非常适合用于需要高效率和高可靠性的电源转换电路。
　　在电动车、储能系统和服务器电源等高功率密度应用中，SGSP477 也常被用于主功率开关或同步整流元件，以提高整体能效。
　　此外，该MOSFET还可用于负载切换和保护电路，例如热插拔电源控制、电池充放电管理等场合。

STP150N3LLZAG, IPW60R024C6, IRF1407, FDP180N30TM