时间：2025/12/29 15:09:36
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SGS6N60UFD是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款MOSFET专为高电压和高电流应用设计，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及各种工业和消费类电子设备。SGS6N60UFD采用先进的技术制造，确保在高频率开关操作中具备出色的性能和效率。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：600V
最大连续漏极电流（ID）：6A
最大脉冲漏极电流（IDM）：24A
最大功耗（PD）：50W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-220
栅极阈值电压（VGS(th)）：2V至4V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为1.2Ω（当VGS=10V时）
输入电容（Ciss）：约600pF
SGS6N60UFD具有多项出色的电气特性，使其适用于多种高电压和高功率应用。首先，它的最大漏源电压为600V，能够承受较高的电压应力，适用于高压电源和转换器设计。其次，该MOSFET的最大连续漏极电流为6A，在脉冲条件下可承受高达24A的电流，适用于高功率开关应用。
此外，SGS6N60UFD的导通电阻（RDS(on)）在VGS=10V时仅为1.2Ω，确保在导通状态下功耗较低，提高了整体效率。这使得该器件在高频开关电路中表现优异，减少了开关损耗并提高了系统的稳定性。
该MOSFET采用TO-220封装，具备良好的散热性能，适用于需要高可靠性的应用场景。同时，其栅极阈值电压范围为2V至4V，与常见的驱动电路兼容，便于设计和集成。
SGS6N60UFD的工作温度范围为-55°C至+150°C，表明其在极端环境条件下仍能保持稳定运行。这一特性使其适用于工业控制、汽车电子以及户外设备等严苛环境下的应用。
SGS6N60UFD广泛应用于各种电力电子系统，包括但不限于以下领域：电源管理单元（如AC-DC和DC-DC转换器）、马达驱动器、电池充电器、逆变器、LED驱动电路、工业自动化设备以及消费类电子产品。由于其高耐压能力和较低的导通电阻，该器件特别适合用于高频开关电源和节能型电源系统。此外，TO-220封装的设计使其易于安装在散热片上，确保在高功率操作中的稳定性。在电机控制应用中，SGS6N60UFD可以作为H桥电路中的关键开关元件，实现高效的电机驱动。在LED照明系统中，该MOSFET可用于调节电流和实现高效的功率转换。
STP6NK60Z, FQA6N60C, IRFBC40
