SGS23N60UFDTU 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的高压 N 河道功率场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用 UF 封装,具有低导通电阻和高开关速度的特点。其额定电压为 600V,广泛应用于需要高效能和可靠性的电力电子设备中,例如开关电源、电机驱动器和逆变器等。
这款 MOSFET 的设计目标是满足工业应用中的高性能需求,并通过优化的芯片结构来降低功耗,提高效率。
最大漏源电压:600V
连续漏极电流:23A
导通电阻(典型值):0.15Ω
栅极电荷:45nC
输入电容:1800pF
总功耗:10W
工作温度范围:-55℃ 至 175℃
SGS23N60UFDTU 提供了卓越的电气性能和可靠性。其主要特点包括:
1. 高耐压能力:能够承受高达 600V 的漏源电压,适用于多种高压应用场景。
2. 大电流处理能力:连续漏极电流可达 23A,确保在大功率条件下稳定运行。
3. 极低的导通电阻:典型值为 0.15Ω,有效减少传导损耗,提升整体效率。
4. 快速开关性能:得益于较低的栅极电荷和优化的设计,开关速度更快,减少了开关损耗。
5. 广泛的工作温度范围:支持从 -55℃ 到 175℃ 的工作温度区间,适合恶劣环境下的应用。
6. 紧凑型 UF 封装:提供更小的体积和更好的散热性能,便于系统集成。
该器件被广泛用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS):包括 AC/DC 和 DC/DC 转换器,能够显著提高电源转换效率。
2. 电机驱动器:支持无刷直流电机(BLDC)和其他类型电机的驱动控制。
3. 工业自动化:如可编程逻辑控制器(PLC)、伺服驱动器等。
4. 逆变器:太阳能逆变器和不间断电源(UPS)中的核心组件。
5. 电动汽车和混合动力汽车:电池管理系统和牵引逆变器的关键部件。
IRFP460,
FDP18N60,
IXFN20N60T2,
STP23NF60,
INF60N60E3