时间：2025/8/25 4:06:44
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SGR5N60RUF 是一款由SG半导体（SG Semiconductor）制造的N沟道功率MOSFET，主要用于高电压、高功率的电源管理与转换应用。该器件采用先进的沟槽式栅极技术，提供更低的导通电阻（Rds(on)）和更高的效率，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电池管理系统以及各种电机控制和负载开关应用。SGR5N60RUF 封装在TO-251或类似的塑料封装中，具备良好的热稳定性和可靠性。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：600V
最大漏极电流(Id)：5A
最大栅源电压(Vgs)：±20V
导通电阻(Rds(on))：≤2.0Ω @ Vgs = 10V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-251
SGR5N60RUF 的主要特性之一是其优异的导通性能，能够在高电压条件下保持较低的导通损耗，从而提高整体系统的效率。该器件采用了先进的沟槽式栅极结构，有效降低了Rds(on)，使得在5A电流下也能保持良好的散热性能。
此外，SGR5N60RUF 具有较高的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定工作，提高了系统的鲁棒性。该MOSFET的栅极氧化层设计优化，使得其在高频开关应用中表现良好，减少了开关损耗并提高了响应速度。
该器件还具有良好的热稳定性，封装设计有助于热量的快速散发，延长了器件的使用寿命，并在高温环境下仍能稳定运行。SGR5N60RUF 的这些特性使其成为多种电源转换应用中的理想选择。
SGR5N60RUF 主要应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、LED驱动器、逆变器、UPS系统、电池管理系统以及工业电机控制等场景。其高电压耐受能力和低导通电阻特性，使其在需要高效能、高稳定性的电源系统中表现出色。
SGR5N60RUF 可以替代的型号包括：FQP5N60、IRF5N60A、STF5N60DM2、SGH5N60RU
