时间：2025/5/8 12:28:21
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SGP101SZ是一款高性能的硅基功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高频开关和高效能应用设计。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、快速开关速度以及出色的热性能，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和其他电力电子设备中。
SGP101SZ属于N沟道增强型MOSFET，通过栅极电压控制漏极和源极之间的电流流动。其优化的参数使其成为高效率和紧凑型设计的理想选择。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：24A
导通电阻：1.8mΩ
栅极电荷：95nC
开关时间：ton=9ns, toff=17ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻，确保高效的功率传输并减少发热。
2. 快速的开关速度，能够适应高频应用环境，降低开关损耗。
3. 优秀的热稳定性，在高温条件下依然保持良好的性能。
4. 高浪涌能力，能够承受瞬态电流冲击。
5. 符合RoHS标准，环保且适合现代工业需求。
6. 小型化封装设计，节省PCB空间，适合紧凑型设计。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关元件。
2. DC-DC转换器的核心功率器件。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. LED驱动器中的高效功率转换。
5. 工业自动化设备中的负载切换。
6. 通信设备中的电源管理模块。
7. 电池充电器中的功率调节单元。
IRFZ44N, FDP15U20AE, STP24NF06L
