类型：电压监测器
　　阈值电压：4.2V
　　输出类型：开漏输出
　　工作电压范围：0.7V 至 10V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：SOT23-5
　　复位延迟时间：120ms（典型值）
　　电流消耗：3.5μA（最大值）
　　精度：±1.5%

SGM808B-4.2XK3G/TR 具有多种关键特性，使其在电压监控应用中表现出色。首先，该芯片的阈值检测电压精度为±1.5%，确保了在电压监控中的高度准确性，从而有效避免了误触发和漏触发的问题。其次，其工作电压范围为0.7V至10V，这使得该芯片适用于多种电压环境，包括低功耗电池供电设备。此外，SGM808B-4.2XK3G/TR 的静态电流仅为3.5μA（最大值），这极大地延长了电池的使用寿命，非常适合需要低功耗运行的设备。
　　该芯片的复位延迟时间为120ms（典型值），这确保了系统在电压恢复后能够稳定运行后再解除复位状态，从而防止系统在电压波动时频繁重启。SGM808B-4.2XK3G/TR 支持手动复位功能，用户可以通过外部按钮或信号触发复位操作，便于系统调试和故障恢复。其开漏输出结构可以与多种逻辑电平兼容，便于与微控制器或其他系统组件集成。
　　此外，SGM808B-4.2XK3G/TR 采用SOT23-5封装，体积小巧，便于在高密度PCB设计中使用。该封装形式还具有良好的热稳定性和机械强度，适用于工业级工作温度范围（-40°C至+85°C），确保在各种环境条件下都能稳定运行。

SGM808B-4.2XK3G/TR 通常用于需要电压监控和系统复位功能的电子设备中。常见的应用包括便携式电池供电设备、工业控制系统、电源管理模块、通信设备、消费类电子产品（如智能手表、穿戴设备）以及嵌入式系统。该芯片的高精度电压检测功能可以有效防止因电压过低而导致的数据丢失或硬件损坏，同时其低功耗特性也使其非常适合用于对能效要求较高的应用中。

SGM808B-4.2XK3G/TR 的替代型号包括 TI 的 TLV809E-43DBZR 和 ON Semiconductor 的 NCP302LSN18T1G，这些型号在功能和参数上具有相似性，可根据具体应用需求进行选择。