工作电压范围：2.7V至18V
　　最大输出电流：1.2A（典型值）
　　传播延迟：20ns（典型值）
　　上升时间：8ns（典型值）
　　下降时间：6ns（典型值）
　　静态电流：100μA（典型值）
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　封装类型：TDFN-6

SGM42513A-1.75XTN6G/TR 以其高效的驱动能力和低功耗特性广泛应用于各种高性能电源管理系统中。其工作电压范围宽泛，能够在2.7V到18V之间稳定工作，适应多种电压级别的系统设计。该驱动器具备高输出驱动能力，每个通道的最大输出电流可达1.2A，确保能够快速、稳定地驱动大功率MOSFET，从而提高系统的整体效率。
　　芯片的传播延迟仅为20ns，上升时间和下降时间分别低至8ns和6ns，这使得该器件非常适合用于高频开关应用，如DC-DC转换器、马达驱动器等。同时，其静态电流仅为100μA，显著降低了系统的待机功耗，提高了能效。
　　该芯片具备良好的热稳定性和过热保护功能，能够在高负载条件下保持稳定运行。TDFN-6的封装形式不仅节省PCB空间，而且具备优异的散热性能，适合高密度电路设计。此外，SGM42513A-1.75XTN6G/TR内部集成了防交叉导通电路，有效避免了上下桥臂MOSFET同时导通带来的短路风险，提高了系统的可靠性。

SGM42513A-1.75XTN6G/TR 主要应用于需要高效MOSFET驱动的场合，例如同步整流型DC-DC转换器、电机驱动电路、电源管理系统、负载开关控制、工业自动化设备、电池管理系统（BMS）、LED驱动电源等。由于其高速开关能力和低功耗特性，它也非常适合用于需要高频率工作的电源设计中，例如便携式电子产品、服务器电源、通信设备电源模块等。
　　在电机控制应用中，该芯片能够有效地驱动H桥电路中的N沟道MOSFET，实现电机的正反转、调速等功能。在电池管理系统中，SGM42513A-1.75XTN6G/TR可以用于驱动保护电路中的MOSFET开关，实现对电池充放电过程的高效控制。此外，在LED照明系统中，该芯片可用于驱动升压或降压型LED驱动器中的功率MOSFET，提升系统的整体效率和稳定性。

Si8412BD-SOIC-10, TC4420COA, IRS2104S