时间：2025/7/31 10:49:52
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SGM41101-420N12YTDI6G/TR 是一款由SGMICRO（圣邦微电子）设计的高效能、低电压、N沟道功率MOSFET，适用于多种电源管理和功率控制应用。该器件具有低导通电阻、高电流承载能力和快速开关特性，使其成为DC-DC转换器、负载开关、电机驱动和电池供电设备中的理想选择。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：12V
栅源电压（Vgs）：±8V
连续漏极电流（Id）：4.2A
导通电阻（Rds(on)）：30mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：WLCSP-6
安装类型：表面贴装
SGM41101-420N12YTDI6G/TR 采用先进的沟槽式MOSFET技术，提供极低的导通电阻，从而减少功率损耗并提高系统效率。其低栅极电荷（Qg）和低输出电容（Coss）确保了快速的开关响应，降低了高频应用中的开关损耗。此外，该器件具有较高的热稳定性和可靠性，在高电流和高温度条件下仍能保持稳定性能。其WLCSP-6封装形式不仅节省空间，还提高了封装密度，适合便携式电子设备和小型电源模块的设计。
该MOSFET在设计上优化了导通和开关性能之间的平衡，使得其在低电压电源管理系统中表现出色。例如，在同步整流、负载开关和PWM控制电路中，SGM41101-420N12YTDI6G/TR 能够有效降低导通压降和开关损耗，提升整体系统效率。此外，其宽泛的工作温度范围也使其适用于工业级和汽车电子应用环境。
SGM41101-420N12YTDI6G/TR 广泛应用于各类电子设备中的电源管理和功率控制电路，包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、便携式电子设备、电机驱动器以及汽车电子模块。由于其高效的性能和紧凑的封装设计，该器件特别适合对空间和功耗要求较高的应用。
Si2302DS、FDN340P、2N7002K、AO3400A
