输出电压：2.8V固定输出
　　输入电压范围：2.5V至5.5V
　　最大输出电流：300mA
　　压差电压：典型值为340mV（在300mA负载下）
　　静态电流：典型值为50μA
　　电源抑制比（PSRR）：在1kHz时为70dB
　　输出噪声：30μVRMS
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　封装类型：SOT-23-5

SGM2047A-2.8XN5G/TR具有多种关键特性，使其适用于高性能模拟和射频系统。首先，该器件具有非常低的输出噪声，适用于高精度模拟电路和敏感的射频前端电路，有助于减少系统噪声并提高信号完整性。
　　其次，该LDO具有高电源抑制比（PSRR），在1kHz频率下可达70dB，能够有效抑制输入电源中的纹波和噪声，提供更干净的输出电压。
　　此外，SGM2047A系列的压差电压较低，典型值为340mV，在满载300mA时仍能保持稳定输出，适合电池供电设备，有助于延长电池寿命。
　　该器件的静态电流非常低，典型值为50μA，进一步提升了整体能效，非常适合低功耗应用。
　　SGM2047A-2.8XN5G/TR采用SOT-23-5小型封装，占用PCB空间小，便于在高密度电路设计中使用。其工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于工业级环境条件。
　　为了确保系统稳定性，该LDO内置过流保护和过温保护功能，能够在异常工作条件下自动关闭以防止损坏。

SGM2047A-2.8XN5G/TR广泛应用于对电源质量要求高的电子系统中。常见应用包括射频（RF）模块、无线通信设备、高精度传感器接口、便携式医疗设备、工业自动化控制设备以及高分辨率模拟-数字转换器（ADC）和数字-模拟转换器（DAC）的供电电路。
　　此外，该LDO也适用于需要低噪声和高稳定性的音频放大器电路、精密运算放大器供电、嵌入式系统中的微控制器单元（MCU）和数字信号处理器（DSP）的内核电源等场景。
　　由于其小型封装和高性能特性，SGM2047A-2.8XN5G/TR也常用于智能穿戴设备、物联网（IoT）节点、无线传感器网络等对功耗和空间有严格要求的设计中。

TPS79328DBVR, LM1117-2.8, XC6206P281MR