类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：600V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　漏极电流（ID）：15A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.55Ω（最大）
　　功率耗散（PD）：150W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220

SGM15UB1E2 具备一系列优异的电气和热性能，能够满足高效率电源转换系统的需求。其最大漏源电压可达 600V，适用于大多数开关电源（SMPS）应用，如 AC-DC 转换器和 PFC 电路。该器件的最大漏极电流为 15A，能够在较高负载条件下稳定工作。其导通电阻最大为 0.55Ω，有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。
　　此外，SGM15UB1E2 的栅源电压耐受范围为 ±30V，使其在驱动电路设计中具有较高的灵活性和安全性。该 MOSFET 的 TO-220 封装形式具备良好的散热能力，适合高功率密度设计。该器件的工作温度范围宽，从 -55°C 到 +150°C，适用于工业级和消费级应用环境。
　　SGM15UB1E2 的制造工艺采用了先进的沟槽式结构和优化的硅片设计，确保了在高频开关应用中的稳定性与可靠性。该 MOSFET 还具有较低的栅极电荷（Qg），有助于减少开关损耗，提高系统的响应速度和效率。此外，该器件具有较低的输出电容（Coss），适用于高频开关拓扑结构，如 LLC 谐振变换器和反激式变换器。

SGM15UB1E2 广泛应用于多种电力电子系统中，特别是在需要高效能和高可靠性的开关电源设计中。其典型应用包括但不限于 AC-DC 电源适配器、LED 驱动电源、家用电器电源模块、工业控制设备中的 DC-DC 转换器以及功率因数校正电路（PFC）。此外，由于其较高的漏源电压和良好的导通特性，SGM15UB1E2 也常用于电机驱动、逆变器和不间断电源（UPS）等功率变换设备中。
　　在设计中，SGM15UB1E2 可以作为主开关元件用于 Boost 或 Buck 拓扑结构，实现高效的电压转换。它在 LLC 谐振变换器中也能表现出优异的开关性能，适用于高效率和高频率工作的电源系统。由于其良好的热稳定性和封装散热设计，SGM15UB1E2 也适合用于需要长时间连续运行的工业设备中，如自动化控制电源模块、通信设备电源系统等。

SGM20N60, FQA16N60C, IRFGB40N60