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SGL-0363Z 发布时间 时间:2025/8/16 3:14:56 查看 阅读:6

SGL-0363Z 是一款由 Sanken(三健)公司制造的功率MOSFET晶体管,广泛用于需要高效能、高功率密度的电力电子设备中。该器件采用先进的硅技术制造,具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,适用于各种高频率、高效率的电源转换器、DC-DC转换器、逆变器和电机驱动系统。SGL-0363Z 是一款 N 沟道增强型MOSFET,支持高电流输出和低电压操作,适合工业自动化、消费电子和汽车电子等多个应用领域。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压 (Vds):30V
  最大栅源电压 (Vgs):±20V
  最大连续漏极电流 (Id):60A
  导通电阻 (Rds(on)):3.6mΩ @ Vgs=10V
  功耗 (Pd):200W
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装形式:TO-220AB

特性

SGL-0363Z 是一款高性能的功率MOSFET,具备多个显著的电气和热性能优势。首先,其低导通电阻(Rds(on))仅为3.6mΩ,在Vgs=10V时能够显著降低导通损耗,提高电源转换效率。该特性对于高频开关应用尤为重要,可以减少功率损耗和发热。此外,该器件的最大漏极电流可达60A,适用于高功率需求的电路设计,例如电源模块、DC-DC变换器和马达控制电路。
  其次,SGL-0363Z 采用先进的封装技术,封装形式为TO-220AB,具备良好的散热能力,能够在高功率工作条件下维持稳定性能。该封装也便于安装在散热片上,进一步优化热管理,延长器件的使用寿命。
  该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽,支持±20V的最大栅源电压,使其适用于多种驱动电路设计。其高栅极耐压能力提高了器件在高压或高噪声环境下的稳定性,减少了栅极击穿的风险。此外,SGL-0363Z 的开关速度较快,有助于减少开关损耗并提升系统效率,特别适合高频开关电源(SMPS)和同步整流器等应用。
  在工作温度方面,SGL-0363Z 的额定温度范围为-55°C至150°C,适用于工业级和汽车电子应用,具备良好的环境适应性和可靠性。这种宽温度范围的特性使得该器件可以在极端工作环境下保持稳定性能,满足各种高要求的电子系统需求。

应用

SGL-0363Z 主要应用于高功率密度、高频开关的电力电子系统中。常见的应用包括DC-DC升压/降压转换器、同步整流器、电机驱动器、电源管理模块以及各类工业自动化设备中的功率控制电路。由于其高电流承载能力和低导通电阻,该器件也广泛用于笔记本电脑、服务器和通信设备的电源系统中,以提高能源利用效率。此外,SGL-0363Z 在汽车电子系统中也有重要应用,例如车载充电器、电动助力转向系统(EPS)和电池管理系统(BMS)。

替代型号

Si7461DP, IRF3710, FDP6030L, STB60NF03L

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