时间：2025/8/25 6:20:37
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SGH10N120RUFD 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的高电压、高电流能力的N沟道功率MOSFET，主要用于电源管理和功率转换应用。该器件采用了先进的超级结（Super Junction）技术，以实现更低的导通电阻（Rds(on)）和更高的效率。SGH10N120RUFD 适用于诸如AC-DC转换器、DC-DC转换器、电机控制、照明系统和工业电源等高功率应用。其封装形式为TO-220FP，便于散热和安装。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（Id）：10A
最大漏源电压（Vds）：1200V
导通电阻（Rds(on)）：最大值1.2Ω
栅极阈值电压（Vgs(th)）：通常为4.5V @ 250μA
最大栅极电压：±20V
功耗（Pd）：60W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-220FP
SGH10N120RUFD 具备多项优异特性，适用于高功率和高效率的电源设计。
首先，该MOSFET采用了超级结（Super Junction）技术，使得器件在保持高击穿电压的同时，具备更低的导通电阻（Rds(on)），从而显著降低导通损耗，提高系统效率。
其次，SGH10N120RUFD 的漏源电压高达1200V，适用于需要高电压隔离和稳定性的高压电源系统，如工业电源、充电器、LED照明驱动器和太阳能逆变器等应用。
此外，该器件的最大漏极电流为10A，具备较强的电流承载能力，适用于中高功率等级的开关电源和DC-DC转换器。
其TO-220FP封装设计不仅提供了良好的散热性能，还具备较小的封装体积，便于在紧凑型电源系统中布局。
SGH10N120RUFD 还具备快速开关能力，栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高整体能效。同时，其较高的抗雪崩能力也增强了器件在极端工作条件下的可靠性和稳定性。
此外，该MOSFET具有良好的热稳定性，在高温环境下仍能维持稳定的性能，适合用于需要长时间连续运行的工业设备和电源系统。
SGH10N120RUFD 主要应用于需要高电压、中高功率处理能力的电子系统中。
常见应用包括AC-DC和DC-DC电源转换器，如适配器、开关电源（SMPS）、服务器电源和工业电源模块。
由于其高耐压和低导通电阻的特性，该器件也广泛用于LED照明驱动电路，提供高效稳定的电流控制。
此外，SGH10N120RUFD 还可用于马达驱动器、电池管理系统（BMS）、充电器和不间断电源（UPS）系统。
在可再生能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中，该MOSFET也常用于高频功率转换，以提高系统的整体效率和可靠性。
工业自动化设备中的功率控制电路，如PLC（可编程逻辑控制器）和传感器供电系统，也常采用SGH10N120RUFD 来实现高效能电源管理。
SGH15N120RUFD, SGP10N120RUFD, STF10N120HD, STF10N120D
