时间：2025/12/29 15:06:21
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SGF23N60UFD是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。该器件采用了先进的超结（Super Junction）技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和快速的开关特性，适用于电源转换、DC-DC转换器、电机驱动和各种高效率电源系统。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：600V
栅源电压（Vgs）：±30V
连续漏极电流（Id）：23A（在Tc=100℃）
导通电阻（Rds(on)）：0.21Ω（最大值，Vgs=10V）
功耗（Ptot）：160W
工作温度范围：-55℃至150℃
封装形式：TO-220、D2PAK（取决于具体型号后缀）
SGF23N60UFD具有多项优异的电气和物理特性，使其在高功率应用中表现出色。
首先，该MOSFET采用了超结技术，显著降低了导通损耗，同时保持了快速的开关性能，有助于提高整体系统的能效。
其次，其导通电阻Rds(on)仅为0.21Ω，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提升系统的热性能。
此外，SGF23N60UFD具备较高的电流处理能力，在23A的额定漏极电流下仍能保持稳定工作，适合中高功率电源转换应用。
该器件的栅极驱动电压范围为±30V，但推荐工作电压为+10V至+15V，以确保稳定的导通状态和防止过压损坏。
其TO-220或D2PAK封装形式具有良好的散热能力，便于安装在散热片或PCB上，适用于工业级环境条件下的稳定运行。
SGF23N60UFD还具备较高的耐用性和可靠性，适用于长时间连续工作的电源系统。
SGF23N60UFD广泛应用于多种高功率和高效率的电力电子设备中。其主要应用领域包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、电池充电器、电机控制电路、太阳能逆变器、照明驱动电路以及工业自动化控制系统。在这些应用中，SGF23N60UFD能够提供高效的功率转换和良好的热稳定性，满足现代电子设备对小型化、高效化和可靠性的要求。
STF23N60DM2、STW23NK60Z、SGH23N60UFD、FQP23N60C、IRFPC50
