时间：2025/8/25 5:36:07
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SGF15N60RUFD是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率电源应用，具有低导通电阻、高耐压能力以及快速开关特性。SGF15N60RUFD采用了先进的MDmesh技术，使其在高电压下仍能保持优异的导通和开关性能，适用于各种开关电源（SMPS）、电机控制、照明系统以及功率因数校正（PFC）电路。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：600V
最大连续漏极电流（Id）：15A
最大脉冲漏极电流（Idm）：60A
导通电阻（Rds(on)）：0.38Ω（典型值）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V ~ 4V
最大功耗（Ptot）：150W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220FP
SGF15N60RUFD具备多项优异的电气特性，首先是其高耐压能力，最大漏源电压（Vds）可达600V，适用于高压电源系统。该MOSFET采用ST的MDmesh技术，优化了导通电阻与开关损耗之间的平衡，使其在高频率开关应用中表现出色。
其次，SGF15N60RUFD具有较低的导通电阻（Rds(on)）典型值为0.38Ω，在导通状态下能显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件的栅极阈值电压范围为2V至4V，使得其能够与常见的逻辑电平控制器兼容，便于驱动电路设计。
在热性能方面，SGF15N60RUFD采用了TO-220FP封装，具有良好的散热能力，能够在高功率条件下稳定运行。该器件还具备高雪崩能量耐受能力，增强了其在恶劣工作环境下的可靠性。
SGF15N60RUFD还具备快速开关特性，能够有效降低开关损耗，提高整体系统的能效，适用于高频开关电源、DC-DC转换器以及电机控制等应用场合。
SGF15N60RUFD广泛应用于多种功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、电源适配器、LED照明驱动器、电池充电器、工业自动化控制系统以及功率因数校正（PFC）模块。该器件也适用于电机驱动器和变频器等需要高效率、高耐压功率开关的场合。
在消费类电子产品中，SGF15N60RUFD可作为主开关器件用于电源管理模块，提供高效稳定的电源转换性能。在工业设备中，它可用于控制高压负载，如加热元件、电动机和继电器等。此外，该MOSFET还可用于新能源系统，如太阳能逆变器和储能系统中的功率转换部分，满足对高可靠性和高效率的需求。
STF15N60DM2、STW15NK60Z、SGF15N60RDTU、SGF15N60SFD
