SGB2233Z 时间：2025/8/16 0:18:27 阅读：30

SGB2233Z 是一款由 ROHM（罗姆）半导体公司生产的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效率和高功率密度的电子设备中。这款 MOSFET 具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流容量和快速开关特性，适用于 DC-DC 转换器、电机驱动器、电源管理模块等应用领域。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：140A
　　导通电阻（Rds(on)）：2.3mΩ（典型值）
　　功率耗散（Pd）：140W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-263（D2PAK）

特性

SGB2233Z 具有低导通电阻（Rds(on)）的特性，使其在导通状态下能够提供较低的电压降，从而减少功率损耗，提高整体效率。其最大漏源电压为 30V，能够承受较高的电压应力，适用于多种中高功率应用场景。此外，该器件的最大连续漏极电流高达 140A，表明其具备较强的电流承载能力。
　　该 MOSFET 的封装形式为 TO-263（也称为 D2PAK），是一种表面贴装封装，具有良好的热性能和机械稳定性。这种封装形式有助于散热，确保器件在高负载条件下仍能稳定工作。SGB2233Z 的功率耗散能力为 140W，进一步支持其在高功率环境中的使用。
　　此外，SGB2233Z 还具备快速开关特性，能够有效减少开关过程中的能量损耗，从而提高系统的整体效率。该器件的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适用于各种严苛的环境条件，如工业控制、汽车电子等应用场景。

应用

SGB2233Z 广泛应用于多个领域，包括但不限于 DC-DC 转换器、电机驱动器、电源管理系统、工业自动化设备和汽车电子模块等。其高电流承载能力和低导通电阻使其成为高效能功率转换设备的理想选择。在 DC-DC 转换器中，SGB2233Z 可用于实现高效的升压或降压操作，提高转换效率。在电机驱动器中，它能够提供稳定的高电流输出，确保电机运行平稳。此外，在电源管理系统中，SGB2233Z 可用于负载切换和功率分配，确保系统在不同工作状态下的稳定性。