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SGA5389Z 发布时间 时间:2025/8/16 7:59:07 查看 阅读:8

SGA5389Z 是一款由日本公司 Sanken(三垦)生产的高耐压、高电流的 N 沟道功率 MOSFET。该器件专为需要高效率和高可靠性的应用而设计,常用于电源转换器、马达驱动器、开关电源以及各种工业控制设备中。SGA5389Z 采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术,使其在导通电阻(Rds(on))和开关性能之间取得良好的平衡,从而降低了导通损耗并提高了整体效率。此外,该器件具有良好的热稳定性和较高的工作温度范围,适合在较为严苛的工业环境下使用。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  最大漏极电流(ID):120A(在Tc=25℃时)
  最大漏极-源极电压(VDS):60V
  最大栅极-源极电压(VGS):±20V
  导通电阻(Rds(on)):最大 3.8mΩ(在VGS=10V时)
  工作温度范围:-55℃ ~ +175℃
  封装类型:TO-247

特性

SGA5389Z 是一款高性能的功率 MOSFET,具有极低的导通电阻(Rds(on)),在 VGS=10V 时,其最大值仅为 3.8mΩ,这使得该器件在高电流工作条件下能够显著降低导通损耗,提高电源转换效率。此外,SGA5389Z 具有较高的电流承载能力,额定漏极电流可达 120A,在高功率应用中表现出色。该器件采用了先进的封装技术,具备良好的散热性能,能够在高负载条件下保持稳定运行。
  由于其高耐压能力(60V)和高电流容量,SGA5389Z 非常适合用于高功率密度的设计,例如 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器等。其 ±20V 的栅极电压耐受能力也使得该器件在使用过程中对栅极驱动电路的保护要求相对较低,从而简化了外围电路设计。
  SGA5389Z 还具备良好的热稳定性,能够在 -55℃ 至 +175℃ 的宽温度范围内稳定工作,适合用于对可靠性要求较高的工业和汽车电子系统。其 TO-247 封装形式不仅便于安装和散热管理,还增强了整体系统的机械强度和耐用性。

应用

SGA5389Z 通常用于高功率和高效率的电源管理系统中。其典型应用包括开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、同步整流电路、电机控制模块、电池充电系统以及各种工业自动化设备中的功率控制部分。此外,由于其高可靠性和良好的热性能,SGA5389Z 也常用于汽车电子系统,如电动助力转向(EPS)、车载逆变器、电能管理系统等。

替代型号

SiHF5389-E3,IRF1404,IRF1405,SGA5389AZ

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