SGA4486Z 时间：2025/8/16 2:53:34 阅读：12

SGA4486Z是一款由日本厂商瑞萨电子（Renesas Electronics）推出的功率晶体管，属于射频（RF）功率MOSFET器件。该器件主要用于射频功率放大器应用，适用于通信设备、广播系统、工业控制系统等需要高效射频放大的场合。SGA4486Z基于先进的高电子迁移率晶体管（HEMT）技术制造，具备出色的射频性能和稳定性，能够提供高输出功率、高增益和高效的射频信号放大能力。该器件封装形式为工业标准封装，便于集成和散热管理。

参数

类型：射频功率MOSFET
　　工艺：HEMT（高电子迁移率晶体管）
　　频率范围：2GHz ~ 4GHz
　　输出功率：典型值10W（连续波）
　　增益：典型值18dB @ 3.5GHz
　　漏极电流（ID）：最大1.5A
　　工作电压：+28V
　　输入驻波比（VSWR）：≤2:1
　　封装形式：表面贴装（SMT）
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C

特性

SGA4486Z采用HEMT技术，具有优异的高频性能和低噪声特性，能够在2GHz至4GHz的频率范围内提供稳定的高功率输出。该器件的典型输出功率为10W，适用于连续波（CW）和脉冲操作模式。SGA4486Z具有高增益特性，典型增益在3.5GHz时为18dB，能够有效减少系统中前置放大器的需求，提高整体系统效率。
　　此外，该器件具有良好的线性度和稳定性，使其在多载波通信系统中表现出色。SGA4486Z的工作电压为+28V，最大漏极电流为1.5A，适合用于高效率的D类或E类放大器设计。其输入驻波比（VSWR）小于或等于2:1，确保了良好的阻抗匹配性能，降低了信号反射损耗。
　　该器件采用表面贴装封装形式，具有良好的散热性能和可靠性，适用于工业级工作温度范围（-40°C至+85°C）。这使得SGA4486Z在高温环境下也能稳定工作，适合用于高要求的通信和工业控制应用。

应用

SGA4486Z广泛应用于射频通信系统中的功率放大器设计，包括无线基础设施、基站放大器、微波通信设备、广播发射机等。此外，该器件也适用于测试与测量设备、医疗射频设备以及工业自动化控制系统中的射频模块。由于其高频率覆盖范围（2GHz至4GHz），SGA4486Z也常用于Wi-Fi 5/6频段（如5.8GHz频段的低频段扩展）、卫星通信、雷达系统等高频应用场景。其高稳定性和低失真特性使得它在多载波放大器和线性放大器中表现出色。