SGA4186Z 时间：2025/8/16 6:13:54 阅读：3

SGA4186Z 是一款由 Sanken（三垦电气）公司制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率的电源转换系统，如 DC-DC 转换器、AC-DC 电源、电机驱动和开关电源应用。该器件采用 TO-252 封装形式，具有较低的导通电阻、较高的耐压能力以及快速的开关特性，适合高频工作环境。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：20V
　　漏极电流（ID）：80A（连续）
　　导通电阻（RDS(on)）：12.5mΩ（典型值，VGS=10V）
　　输入电容（Ciss）：2300pF（典型值）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

SGA4186Z 的主要特性包括其低导通电阻，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。其高达 80A 的连续漏极电流能力使其适用于高功率密度设计。
　　此外，该器件具有快速的开关速度，可有效减少开关损耗，适合用于高频开关电源或 DC-DC 转换器。
　　该 MOSFET 采用 TO-252 封装，具有良好的热性能和机械强度，便于在 PCB 上安装并实现良好的散热。
　　SGA4186Z 的栅极驱动电压范围较宽，典型驱动电压为 10V，确保在不同驱动电路中具有良好的兼容性。
　　该器件还具有良好的抗雪崩能力和过热保护特性，提升了在高应力环境下的可靠性。

应用

SGA4186Z 广泛应用于各类电源管理系统和功率电子设备中。常见应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电池充电器、电机驱动器、UPS（不间断电源）、LED 照明驱动器以及工业自动化设备中的功率控制部分。
　　由于其高频响应和低导通损耗特性，该器件特别适合用于需要高效率和小型化设计的电源系统。