SGA-5589Z 时间：2025/8/16 9:43:20 阅读：20

SGA-5589Z 是一款高性能的射频(RF)放大器芯片，专为通信系统中的低噪声放大应用而设计。该芯片由日本公司 NEC（日电）生产，广泛应用于无线基础设施、微波通信、测试设备等领域。SGA-5589Z 采用高电子迁移率晶体管（HEMT）技术制造，提供低噪声系数、高增益和优异的线性性能，适用于高频段的信号放大任务。该器件通常工作在S波段至C波段之间，是一款可靠的低噪声放大器解决方案。

参数

类型：低噪声放大器(LNA)
　　工艺技术：HEMT（高电子迁移率晶体管）
　　频率范围：2 GHz - 8 GHz
　　增益：约20 dB（典型值）
　　噪声系数：约0.5 dB（典型值）
　　输出IP3：约+20 dBm（典型值）
　　工作电压：5V 或 7V（具体取决于应用）
　　封装形式：表面贴装（SMD）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

特性

SGA-5589Z 是一款专为高频低噪声放大应用设计的HEMT放大器芯片，具备出色的电气性能和稳定性。该芯片采用先进的HEMT技术，具有极低的噪声系数（NF），在2GHz至8GHz的频率范围内可保持低于0.5dB的典型噪声系数，非常适合用于对噪声敏感的接收系统。其高增益特性（约20dB）可有效提升微弱信号的强度，减少后续电路的噪声影响。此外，SGA-5589Z 具有良好的线性度，输出三阶交调截距（OIP3）可达+20dBm，有助于维持信号完整性并减少失真。
　　该芯片的工作电压通常为5V或7V，具体取决于设计需求，能够在较宽的温度范围内稳定运行（-40°C至+85°C），适用于各种恶劣环境下的通信设备。SGA-5589Z 采用表面贴装封装形式，便于自动化生产并节省电路板空间。由于其优异的高频性能和稳定性，SGA-5589Z 被广泛应用于无线基站、微波通信设备、测试仪器以及军事和航空航天领域的射频前端系统中。