SGA-5586Z 是一款由 Sanken(三垦)公司生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高效率电源转换系统,如DC-DC转换器、开关电源(SMPS)和电机控制应用。该器件具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热稳定性,使其在高功率密度设计中表现出色。SGA-5586Z 采用TO-263(D2PAK)封装,便于散热并适用于表面贴装技术(SMT)。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):600V
漏极电流(ID):8.0A(Tc=25℃)
导通电阻(RDS(on)):0.85Ω @ VGS=10V
栅极电压(VGS):±30V
工作温度范围:-55℃ ~ 150℃
封装形式:TO-263(D2PAK)
功率耗散(PD):100W
漏源击穿电压(BVDSS):600V
SGA-5586Z 是一款专为高电压和高功率应用设计的MOSFET。其主要特性之一是具备较低的导通电阻(RDS(on))为0.85Ω,这使得在导通状态下功率损耗最小化,从而提高了电源转换效率。此外,该器件的漏源电压(VDS)可达600V,支持在高压环境下稳定运行,适用于多种开关电源拓扑结构。
该MOSFET采用TO-263(D2PAK)封装,具备良好的热管理性能,有助于提高器件在高负载条件下的可靠性。封装形式支持表面贴装技术,便于自动化生产并节省PCB空间。SGA-5586Z 还具有较高的栅极耐压能力(±30V),增强了其在复杂电磁环境中工作的稳定性。
其工作温度范围为-55℃至150℃,能够在严苛的环境条件下运行。此外,该器件的漏极电流额定值为8A,在保证稳定工作的前提下,适用于多种中高功率应用场景。
SGA-5586Z 广泛应用于各种电源管理系统,包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机控制电路、照明驱动器以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其具备高压、中等电流能力和良好的热管理性能,因此也非常适合用于要求高可靠性和效率的家电电源系统和新能源设备中。
SGA-5586, FQA8N60C, 2SK2545, 2SK1529