时间：2025/7/22 13:31:39
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SG30N04Q是一种N沟道功率MOSFET，广泛用于电源管理和功率转换应用。它具有低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性，适用于高效率的开关电路设计。SG30N04Q的封装形式为TO-220，便于安装和散热。
类型：N沟道
漏极电流：30A
漏极-源极电压：40V
栅极-源极电压：±20V
导通电阻（Rds(on)）：0.042Ω @ Vgs=10V
导通阈值电压：2.0V~4.0V
工作温度范围：-55°C~175°C
封装类型：TO-220
SG30N04Q的导通电阻非常低，仅为0.042Ω，这使得它在高电流应用中具有较低的功率损耗。此外，该器件具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。
SG30N04Q的栅极驱动电压范围为±20V，使其适用于多种驱动电路。其导通阈值电压在2.0V到4.0V之间，确保了在不同工作条件下的可靠导通。
该MOSFET的封装形式为TO-220，具有良好的散热性能，适合用于高功率密度的设计。SG30N04Q的可靠性高，能够在恶劣环境中长期稳定运行。
SG30N04Q广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动、电池充电器以及开关电源等场合。其低导通电阻和高耐压特性使其成为高效率功率转换的理想选择。此外，SG30N04Q也可用于工业自动化、汽车电子和消费类电子设备中的功率控制电路。
IRF30N04Q, STP30NF04L, FDP30N04Q
