类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(VDSS)：30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：9A @ 25℃
　　脉冲漏极电流(IDM)：36A
　　导通电阻(RDS(on))：根据栅极电压不同分为多个档位，典型值为 RDS(on) ≤ 7.5mΩ @ VGS = 10V，≤ 10mΩ @ VGS = 4.5V
　　阈值电压(Vth)：典型值2.0V，范围1.5V ~ 2.5V
　　输入电容(Ciss)：约 1300pF @ VDS=15V, VGS=0V
　　输出电容(Coss)：约 350pF
　　反向恢复时间(trr)：约 25ns
　　工作结温范围(Tj)：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围(Tstg)：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：SOP-8

SG211V采用了先进的沟槽型场效应晶体管工艺，具备出色的导通特性和开关响应能力。其核心优势在于极低的导通电阻，在VGS=10V条件下，RDS(on)可低至7.5mΩ，这显著降低了在大电流工作状态下的导通损耗，提高了系统的整体效率。同时，在VGS=4.5V时仍能保持低于10mΩ的导通电阻，使其兼容于低电压逻辑驱动电路，如3.3V或5V微控制器直接驱动，无需额外的电平转换或驱动芯片，简化了外围电路设计。
　　该器件具有较高的电流承载能力，连续漏极电流可达9A（在25℃环境温度下），并通过优化封装热阻设计，能够在较高负载条件下维持稳定运行。其栅极电荷（Qg）较低，典型值约为20nC，有助于减少驱动功耗并提升开关频率，适用于高频PWM调制应用，例如同步整流、Buck/Boost变换器等拓扑结构。
　　SG211V具备良好的热稳定性和抗雪崩能力，芯片内部结构经过优化，减少了热失控风险。其阈值电压适中且一致性好，避免了误触发问题，提升了系统工作的可靠性。此外，输入、输出电容较小，有利于减小开关过程中的能量损耗，从而进一步提升转换效率。
　　该MOSFET还具备较强的抗静电能力（ESD），并内置一定的栅氧保护机制，增强了在实际使用过程中的鲁棒性。SOP-8封装不仅节省PCB空间，而且引脚布局合理，有利于布线和散热设计，尤其适合高密度板级集成应用。总体而言，SG211V是一款高性能、高性价比的功率MOSFET，适用于多种对效率和体积有严格要求的应用场景。

SG211V主要应用于需要高效能、小尺寸功率开关的电子设备中。典型应用包括便携式电子产品的电源管理模块，如智能手机、平板电脑、移动电源中的充放电控制电路。在这些系统中，SG211V常被用作电池保护电路中的充放电MOSFET，实现过流、短路和过压保护功能。
　　此外，它也广泛用于DC-DC降压（Buck）和升压（Boost）转换器中，作为主开关管或同步整流管，因其低导通电阻和快速开关特性，可有效提升电源转换效率，降低发热，延长设备续航时间。在LED照明驱动电源中，SG211V可用于恒流控制回路中的开关元件，支持高亮度LED的稳定驱动。
　　工业控制领域中，SG211V可用于小型电机驱动、电磁阀控制、继电器替代等场合，实现无触点开关，提高系统可靠性和寿命。在通信设备电源模块、机顶盒、路由器等消费类电源适配器中，该器件同样表现出色，适用于次级侧同步整流或初级侧开关控制。
　　由于其SOP-8封装易于自动化贴片生产，SG211V也被广泛应用于大批量生产的消费电子产品中。在电池管理系统（BMS）中，SG211V可用于多节锂电池的充放电控制与均衡管理，确保电池组的安全运行。综上所述，SG211V凭借其优异的电气性能和紧凑的封装形式，已成为众多中小型功率开关应用的理想选择。

SI2309DS
　　AO3400
　　AP2112
　　FDG330N