类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：100V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大漏极电流(Id)：连续16A，脉冲80A
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为0.045Ω（Vgs=10V）
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：TO-220

SFT722N-S 具备多项优异的电气和热性能特性。其低导通电阻（Rds(on)）使得在导通状态下的功率损耗显著降低，从而提高了系统的整体效率。该器件的高电流承载能力（16A 连续漏极电流）使其能够胜任高功率应用的需求。SFT722N-S 的栅极驱动电压范围宽广，支持标准的 10V 栅极驱动电压，并具备一定的过压容忍能力（最大 ±20V 栅源电压），这提高了其在复杂驱动环境中的适应性。
　　在热性能方面，SFT722N-S 采用 TO-220 封装，具有良好的散热能力，能够在高功率密度应用中保持稳定的温度表现。此外，该器件具备较高的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过压或感性负载切换时提供更好的可靠性。
　　从开关特性来看，SFT722N-S 具有快速的开关响应时间，包括较短的导通延迟时间和关断延迟时间，这使得它非常适合用于高频开关应用，如 DC-DC 转换器和同步整流电路。同时，其较低的输入电容（Ciss）和反向传输电容（Crss）有助于减少驱动电路的负担，提高系统的响应速度。
　　此外，SFT722N-S 在设计上具备良好的抗干扰能力，能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的性能。其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适用于各种工业和汽车电子环境。

SFT722N-S 被广泛应用于多种电力电子系统中，包括但不限于以下领域：电源管理模块、DC-DC 升压/降压转换器、同步整流器、电机驱动器、电池充电器、不间断电源（UPS）、功率因数校正（PFC）电路、工业自动化控制系统以及汽车电子系统中的功率控制单元。由于其具备高电流、低导通电阻和良好的热稳定性，该 MOSFET 特别适合用于需要高效率和高可靠性的应用场景。例如，在电动汽车（EV）或混合动力汽车（HEV）的电池管理系统中，SFT722N-S 可用于电池充放电控制和能量回收系统。在太阳能逆变器和储能系统中，该器件也可用于实现高效的能量转换。

IRFZ44N, STP16NF10, FDPF722N