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SFT1342-TL-E 发布时间 时间:2025/6/18 22:46:16 查看 阅读:3

SFT1342-TL-E是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等领域。该器件采用了先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力,能够有效降低功耗并提高系统效率。
  这款MOSFET属于N沟道增强型场效应晶体管,适用于高频开关应用场合。其封装形式通常为TO-220或TO-252(DPAK),这使得它在散热性能方面表现优异,适合需要高效能和高可靠性的电路设计。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):42A
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ
  总功耗(Ptot):170W
  工作温度范围:-55℃至+175℃
  封装形式:TO-220/TO-252

特性

SFT1342-TL-E具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少功率损耗并提升整体效率。
  2. 较高的电流承载能力,支持大功率应用需求。
  3. 快速开关速度,适合高频操作环境。
  4. 高雪崩能量能力,增强了器件的鲁棒性和可靠性。
  5. 采用优化的封装设计,确保良好的热性能和电气性能。
  6. 广泛的工作温度范围,适应多种极端条件下的使用场景。
  这些特性共同保证了SFT1342-TL-E能够在复杂多变的应用环境中稳定运行,同时满足严格的能效要求。

应用

SFT1342-TL-E广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
  2. DC-DC转换器中作为同步整流器或主开关管。
  3. 电机驱动电路中的功率输出级。
  4. 各类负载切换及保护电路。
  5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  6. 汽车电子系统中的电源管理单元。
  由于其出色的性能指标,这款MOSFET特别适合对效率和可靠性有较高要求的应用场景。

替代型号

SFT1341-TL-E, IRFZ44N, FDP5800

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SFT1342-TL-E参数

  • 标准包装700
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C12A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C62 毫欧 @ 6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)-
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs26nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1150pF @ 20V
  • 功率 - 最大1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装TP-FA
  • 包装带卷 (TR)