时间：2025/7/23 17:17:49
阅读：5
SFR60F30PN 是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件适用于高电流、高电压应用，具有良好的导通特性和较低的导通损耗。SFR60F30PN采用了先进的STripFET?技术，确保了高效能和高可靠性，广泛应用于电源转换、电机控制、负载开关以及工业自动化系统等领域。
类型：N沟道
最大漏源电压（VDS）：30V
最大漏极电流（ID）：60A
导通电阻（RDS(on)）：12.5mΩ @ VGS=10V
栅极电压（VGS）：±20V
最大功耗（PD）：150W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：TO-220
SFR60F30PN功率MOSFET采用了先进的STripFET?技术，具备较低的导通电阻（RDS(on)），从而降低了导通损耗，提高了整体效率。该器件具有较高的电流承受能力，额定漏极电流为60A，适用于高功率密度设计。
其12.5mΩ的导通电阻在VGS=10V条件下表现出色，使得该MOSFET在高负载条件下仍能保持较低的功率损耗，减少了发热问题，提升了系统的稳定性和寿命。
此外，SFR60F30PN具备±20V的栅极电压耐受能力，提高了其在高频开关应用中的可靠性，适用于PWM控制、DC-DC转换器等场景。该器件的封装形式为TO-220，便于散热和安装，适合用于工业级应用环境。
在热管理方面，SFR60F30PN的最大功耗为150W，能够在较高的工作温度下维持稳定运行，其工作温度范围为-55°C至+175°C，适用于各种严苛的工作环境。
SFR60F30PN广泛应用于各种功率电子系统中，包括但不限于电源管理模块、DC-DC转换器、负载开关、电机控制电路、工业自动化设备、电池管理系统以及高功率LED照明驱动电路。其高电流能力和低导通电阻特性使其成为高效能电源设计中的理想选择，尤其是在需要高效率和低热量生成的场合。此外，该器件也常用于汽车电子系统中的功率控制模块，如电动助力转向系统（EPS）、车载充电器和电机驱动器。
IRF3710, FDP6030L, STP60NF30L, IPW60R012E6
