SFR35F60P2 是一款由东芝(Toshiba)生产的MOSFET模块,属于功率电子器件,主要用于高电压和高电流的应用场景。该模块采用双管封装设计,内部集成两个MOSFET器件,通常用于电源转换、电机控制、工业自动化设备等高要求的电力电子系统中。该器件具备高效率、低导通损耗和快速开关特性,适用于高频开关应用。
类型:功率MOSFET模块
封装形式:双管(Dual)封装
最大漏源电压(Vds):600V
最大漏极电流(Id):35A
导通电阻(Rds(on)):典型值为0.23Ω(具体数值可能因制造批次而略有不同)
工作温度范围:-55°C至+150°C
栅极驱动电压:10V至20V(推荐为15V)
短路耐受能力:具备一定的短路耐受能力,适用于高可靠性系统
封装尺寸:根据制造商提供的标准封装设计,便于散热和安装
SFR35F60P2 MOSFET模块具备多项优异的电气和热性能。首先,其高漏源电压能力(600V)使其适用于中高功率的DC-AC逆变器和AC-DC整流器应用。其次,最大漏极电流为35A,能够支持较大负载的开关控制,适用于工业电机驱动和电源管理系统。此外,该模块的导通电阻较低,典型值为0.23Ω,这有助于降低导通损耗,提高整体系统的能效。在高频应用中,该器件的快速开关特性可减少开关损耗,提高转换效率。
从热管理角度看,SFR35F60P2采用双管封装设计,有利于热量的均匀分布和有效散热。模块的封装结构具备良好的热传导性能,能够在高负载条件下保持稳定的运行温度,从而提升系统的可靠性和寿命。此外,其工作温度范围宽泛(-55°C至+150°C),适合在恶劣环境条件下使用。
该模块还具备良好的短路耐受能力,能够在短时间内承受较高的电流冲击而不损坏。这一特性对于需要高可靠性和稳定性的工业控制系统尤为重要。此外,SFR35F60P2的栅极驱动电压范围较宽(10V至20V),允许设计人员根据具体应用需求选择合适的驱动电压,以平衡开关速度和功耗。
SFR35F60P2 MOSFET模块广泛应用于多个领域,特别是在需要高效功率转换和控制的系统中。首先,它常用于工业电源系统,如高频开关电源、不间断电源(UPS)和DC-DC转换器。这些应用要求器件具备高效率、低损耗和良好的热管理能力,而SFR35F60P2的电气性能和封装设计正好满足这些需求。
其次,该模块在电机控制领域也具有广泛应用。例如,在变频器和伺服驱动器中,SFR35F60P2可用于控制电机的运行状态,实现高效的能量转换和精确的转速控制。此外,该模块也适用于工业自动化设备中的功率控制单元,如PLC(可编程逻辑控制器)和工业机器人。
在新能源领域,SFR35F60P2也可用于太阳能逆变器和风力发电系统的功率转换模块。这些系统通常需要在恶劣环境条件下运行,而SFR35F60P2的宽工作温度范围和高可靠性使其成为理想选择。
此外,该模块还可用于电动车充电设备、储能系统以及各种需要高功率密度和高效率的电力电子系统中。
TK25S60W5, SFR35F60P1, SFR35F60P2F