时间：2025/9/12 16:09:17
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SFR08S60T2(F2) 是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的功率MOSFET器件，采用先进的沟槽式技术，具备低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性。该器件广泛应用于电源转换、电机控制、负载开关和电池管理系统等领域。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大漏极电流(Id)：8A（在25°C）
导通电阻(Rds(on))：23mΩ（最大值，Vgs=10V）
栅极电荷(Qg)：16nC
功率耗散(Pd)：2W
工作温度范围：-55°C至175°C
SFR08S60T2(F2) MOSFET具有低导通电阻，能够在高电流条件下提供更低的功率损耗，提高系统效率。
其高耐压能力使其适用于多种电源管理应用，如DC-DC转换器、同步整流器和负载开关。
该器件采用先进的沟槽式技术，优化了导通和开关性能，同时具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行。
此外，SFR08S60T2(F2)的封装设计有助于提高散热效率，确保在高功率应用中的可靠性和稳定性。
该MOSFET适用于多种电源管理和功率控制应用，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统和电机驱动器。
也可用于工业控制、汽车电子和消费类电子产品中的高效能电源管理电路。
STL08N60M5, FDP08N60, IPP08N60C7
