SFP80N03 时间：2025/12/29 15:22:27 阅读：22

SFP80N03 是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器、电池管理系统以及各种高电流开关场合。该器件采用先进的沟槽技术，具备低导通电阻、高电流承载能力以及优异的热性能，适用于需要高效能和高可靠性的电子系统。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：80A
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值为3.8mΩ（典型值为3.0mΩ）
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-263（D2PAK）
　　功率耗散（PD）：160W

特性

SFP80N03 MOSFET 采用先进的沟槽式功率MOSFET技术，具有极低的导通电阻（RDS(on)），从而显著降低了导通损耗，提高了整体系统的效率。该器件的最大漏极电流为80A，能够承受高电流负载，适用于大功率应用场景。其漏源电压最大为30V，适用于低压功率转换系统。
　　该MOSFET的栅源电压范围为±20V，具有较强的抗过压能力，提升了使用过程中的稳定性与可靠性。此外，SFP80N03 具有良好的热稳定性，其最大工作温度可达175°C，适合在高温环境下运行。
　　封装方面，SFP80N03 采用 TO-263（D2PAK）表面贴装封装，具有良好的散热性能，便于自动化生产和焊接，同时节省电路板空间。这种封装形式也有助于提升功率密度，适用于紧凑型电源设计。
　　该器件广泛应用于同步整流、DC-DC转换器、电机驱动、电池管理系统（BMS）、服务器电源、工业控制设备以及电动车电池管理系统等场合，是高效率功率转换的理想选择。