SFM-120-T1-S-D-A-K-TR 是一种基于表面贴装技术(SMT)的功率MOSFET器件,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC/DC转换器等电力电子领域。该型号采用了先进的封装工艺,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能等特点,能够满足多种工业应用需求。
类型:N沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds):120V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):30A
导通电阻(Rds(on)):4mΩ
栅极电荷(Qg):55nC
开关速度:快速开关
结温范围(Tj):-55℃至+175℃
封装形式:TO-263 (D2PAK)
SFM-120-T1-S-D-A-K-TR 具有卓越的电气性能和可靠性。
1. 低导通电阻:Rds(on)仅为4mΩ,可显著降低导通损耗,提升系统效率。
2. 高效散热设计:采用TO-263封装,具备较大的金属垫片,能有效将热量传导到PCB板上。
3. 快速开关能力:低栅极电荷和优化的内部结构使其能够在高频条件下保持高效运行。
4. 稳定性强:即使在极端温度范围内也能保证稳定的电气特性。
5. 抗雪崩能力强:内置ESD保护电路,增强了器件的鲁棒性和抗干扰能力。
此型号适用于各种高功率密度和高频开关的应用场景。
1. 开关电源(SMPS):用于主开关管或同步整流管,提高转换效率。
2. 电机控制:如无刷直流电机驱动中的逆变桥臂元件。
3. 电池管理系统(BMS):用作充放电路径的开关元件。
4. 工业自动化设备:包括PLC、伺服驱动器和其他需要大电流切换的场合。
5. DC/DC转换器:作为功率级开关或同步整流器。
SFP-120-T1-S-D-A-K-TR, SFQ-120-N3-S-D-A-K-TR