SFM-115-T2-L-D-K-TR 是一款表面贴装封装的高效能场效应晶体管(MOSFET),主要用于功率转换和开关应用。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻、高切换速度以及出色的热性能,适用于需要高效率和小尺寸解决方案的设计。
这款 MOSFET 通常用于 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关以及其他功率管理电路中。其设计优化了静态和动态性能,能够有效降低功耗并提升系统效率。
型号:SFM-115-T2-L-D-K-TR
类型:N沟道增强型 MOSFET
Vds(漏源电压):100V
Rds(on)(导通电阻):8mΩ(典型值,Vgs=10V)
Id(连续漏极电流):60A
Qg(栅极电荷):35nC
Eoss(输出电容能量损耗):150nJ
Tj(结温范围):-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-Leadless(表面贴装)
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可显著降低导通损耗,从而提高整体效率。
2. 高切换速度与低栅极电荷(Qg),适合高频开关应用。
3. 具备强大的雪崩能力和鲁棒性,能够在严苛的工作条件下可靠运行。
4. 紧凑型封装设计,节省PCB空间,适合高密度设计。
5. 支持宽范围的工作温度,确保在极端环境下的稳定性。
6. 符合 RoHS 标准,环保且易于集成到现代电子系统中。
1. 开关电源(SMPS)中的功率级开关。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
3. 汽车电子系统中的负载开关和保护电路。
4. 工业自动化设备中的功率转换模块。
5. 通信设备中的 DC-DC 转换器。
6. 各类便携式电子产品中的高效功率管理单元。
SFM-115-T2-H-D-K-TR, SFM-120-T2-L-D-K-TR, IRF540N