SFM-115-T1-L-D-K-TR是一种表面贴装封装的功率MOSFET,广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机驱动等场景。该器件具有低导通电阻(Rds(on))、高效率以及卓越的热性能,适用于需要高效能和小型化设计的应用领域。
其主要特点是采用了先进的半导体制造工艺,确保了在高频工作条件下的稳定性和可靠性。同时,它支持大电流输出,并且具有出色的抗浪涌能力。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:38A
导通电阻(典型值):2.7mΩ
栅极电荷:49nC
反向恢复时间:95ns
工作结温范围:-55℃至+175℃
封装类型:LFPAK56(D2PAK)
1. 超低导通电阻有助于减少功耗并提高整体系统效率。
2. 高雪崩能量能力增强了产品的坚固性,使其能够承受异常情况下的瞬态电压冲击。
3. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
4. 封装形式紧凑,节省PCB空间,非常适合便携式设备和其他对体积敏感的设计。
5. 支持自动光学检测(AOI),简化生产流程。
6. 提供全面保护功能,包括过流保护和短路保护。
1. 开关模式电源(SMPS)
2. 电池管理系统(BMS)
3. 汽车电子如电动助力转向(EPS)、刹车系统和引擎控制单元(ECU)
4. 工业自动化中的电机控制与驱动
5. 消费类电子产品内的充电器及适配器
SFP06N60FLP,IRLB8729TRPBF,SI4462DY