SFM-115-L2-F-D-LC-K-TR是一款表面贴装封装的射频功率晶体管,主要用于无线通信、雷达系统以及其他高频应用中的功率放大。该器件采用先进的半导体工艺制造,具有高增益、高效率和良好的线性度,适合在高频段提供稳定的功率输出。
该型号属于宽带射频功率晶体管系列,适用于频率范围从几十MHz到超过1GHz的应用场景。其设计注重散热性能和耐用性,能够承受较高的工作温度。
最大功率:115W
频率范围:30MHz - 1000MHz
增益:12dB
效率:65%
工作电压:50V
电流:4A
封装类型:表面贴装
工作温度范围:-40℃ 至 +100℃
1. 高功率输出能力,适合多种射频应用需求。
2. 宽带设计使其能够在较宽的频率范围内保持稳定性能。
3. 高效率和良好线性度有助于降低功耗并提高系统性能。
4. 表面贴装封装简化了安装过程,并提供了优良的热传导性能。
5. 具有较强的抗静电能力和可靠性,适用于恶劣环境下的使用。
6. 内置匹配网络,减少了外部元件的需求,简化了电路设计。
1. 无线通信基站中的功率放大器模块。
2. 测试设备中的信号源和功率放大。
3. 雷达系统中的发射机部分。
4. 医疗成像设备中的高频信号处理。
5. 工业加热和等离子体生成中的功率控制。
6. 消费类电子产品中的高性能射频放大器。
SFM-115-H2-F-D-LC-K-TR
SFM-115-M2-F-D-LC-K-TR
SFM-115-P2-F-D-LC-K-TR