SFM-108-02-L-D-A-K-TR 是一款表面贴装封装的射频功率放大器模块,广泛应用于无线通信系统。它采用先进的 GaN(氮化镓)技术,具有高效率和高功率密度的特性,适用于基站、雷达以及微波通信等高频应用领域。
该器件通过优化设计,能够在高频段提供稳定的增益输出,并具备出色的线性度和散热性能。其紧凑的封装形式使其非常适合空间受限的应用场景。
型号:SFM-108-02-L-D-A-K-TR
封装类型:表面贴装 (SMD)
工作频率范围:700 MHz - 6 GHz
输出功率:43 dBm(典型值)
增益:10 dB(典型值)
电源电压:28 V
静态电流:500 mA
效率:大于 55%
输入驻波比 (VSWR):小于 2.5:1
输出驻波比 (VSWR):小于 2.0:1
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
存储温度范围:-55°C 至 +125°C
这款射频功率放大器采用了高性能的 GaN HEMT 技术,显著提升了输出功率和效率,同时降低了热损耗。
其宽泛的工作频率范围(700 MHz 到 6 GHz)确保了在多种无线通信标准下的兼容性,例如 LTE、5G NR 和 WiMAX。
SFM-108-02-L-D-A-K-TR 还具备内置匹配网络,减少了外部元件的需求,从而简化了电路设计并提高了可靠性。
另外,模块内部集成了保护电路,如过温保护和过流保护,以增强设备的安全性和耐用性。
整体上,此芯片以其紧凑的尺寸、高效的性能和高度集成的特点,在现代通信系统中表现优异。
SFM-108-02-L-D-A-K-TR 主要应用于以下领域:
1. 无线基础设施中的基站发射机。
2. 军事和民用雷达系统。
3. 点对点微波通信链路。
4. 测试与测量设备中的信号源。
5. 医疗成像和工业加热等特殊用途。
由于其高效率和高功率输出能力,这款放大器特别适合需要长距离覆盖或高强度信号传输的场合。
SFM-108-02-H-D-A-K-TR
SFM-108-03-L-D-A-K-TR
SFM-108-02-L-D-B-K-TR