SFM-107-T1-F-D是一款高性能的功率MOSFET,主要用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等应用。该器件采用TO-263封装形式,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能,能够有效降低功耗并提升系统效率。
型号:SFM-107-T1-F-D
类型:N沟道增强型MOSFET
Vds(漏源极电压):100V
Rds(on)(导通电阻):7mΩ
Id(连续漏极电流):85A
Vgs(th)(栅极阈值电压):4V
f(max)(最大工作频率):5MHz
封装形式:TO-263
SFM-107-T1-F-D采用了先进的半导体制造工艺,具备以下主要特点:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够在高电流应用中显著降低功耗。
2. 高开关速度支持高频应用,有助于缩小磁性元件尺寸并提高整体功率密度。
3. 良好的热性能确保在高功率场景下保持稳定运行。
4. 支持多种保护功能,例如过流保护和短路保护,从而提升系统的可靠性和安全性。
5. 符合RoHS标准,环保且适用于各种工业及消费类电子设备。
这款功率MOSFET广泛应用于各类电力电子领域,包括但不限于以下方面:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动电路,用于控制直流无刷电机(BLDC)或其他类型的电机。
3. DC-DC转换器,提供高效的电压转换功能。
4. 充电器模块,例如手机快充、笔记本电脑适配器等。
5. 工业自动化设备中的功率控制部分,如变频器和逆变器。
SFM-107-N1-F-D, SFM-107-P1-F-D