SFM-106-L1-S-D-K-TR是一种表面贴装封装的低噪声放大器(LNA)芯片,广泛应用于射频和微波通信系统中。该芯片采用了先进的GaAs工艺制造,具有卓越的增益性能、低噪声系数以及高线性度,适合在无线通信、雷达和卫星接收等场景下使用。
该型号设计紧凑,支持高频段信号处理,能够有效提高系统的整体灵敏度和稳定性。此外,其内置匹配网络简化了外部电路设计,从而降低了开发难度并提升了可靠性。
工作频率:4.5GHz~6GHz
增益:18dB±1dB
噪声系数:1.2dB典型值
输入回波损耗:≥12dB
输出回波损耗:≥10dB
电源电压:3.3V±0.2V
静态电流:40mA
封装形式:QFN 4x4mm
SFM-106-L1-S-D-K-TR采用高效的低噪声设计技术,具备以下显著特点:
1. 高增益和低噪声系数,在高频应用中表现出色;
2. 内置匹配网络,减少外部元件需求,节省PCB空间;
3. 支持宽频带操作,适应多种射频应用场景;
4. 稳定性强,能够在不同温度条件下保持一致性能;
5. 小尺寸封装,便于集成到小型化设备中;
6. 功耗低,非常适合对能效有要求的设计项目。
这些特性使其成为高性能射频前端模块的理想选择。
SFM-106-L1-S-D-K-TR适用于各种需要低噪声放大的场合,主要领域包括:
1. 无线通信基站收发信机中的射频前端;
2. 卫星通信地面站接收链路;
3. 雷达探测系统中的信号增强部分;
4. 微波点对点传输设备;
5. 测试测量仪器的信号调理环节;
6. 物联网(IoT)网关设备中的射频模块。
它凭借出色的性能和可靠性,满足现代通信系统对信号质量的严格要求。
SFM-106-L1-S-D-B-TR
SFM-106-H1-S-D-K-TR
SFM-107-L1-S-D-K-TR