时间：2025/6/21 1:17:48
阅读：5
SFM-103-T1-S-D-A是一种表面贴装型的功率MOSFET芯片，属于N沟道增强型场效应晶体管。它通常用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及其他需要高效能和低导通电阻的应用场景中。该器件具有良好的电气特性和热性能，能够在高频开关应用中提供稳定的性能表现。
型号：SFM-103-T1-S-D-A
类型：N沟道增强型MOSFET
封装：SOT-23
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：3.5A
导通电阻(Rds(on))：70mΩ
功耗(PD)：460mW
工作温度范围(Ta)：-55°C 至 +150°C
栅极电荷(Qg)：9nC
SFM-103-T1-S-D-A采用了先进的工艺制造技术，具有低导通电阻的特点，从而减少了功率损耗并提高了系统效率。
该器件还具备快速开关速度和较低的输入电容，有助于减少开关损耗并提升整体性能。
其小型化的SOT-23封装设计使其非常适合空间受限的应用场景，并且易于集成到各种电路板设计中。
同时，该器件在高温环境下的稳定表现也使其成为工业和汽车电子应用的理想选择。
SFM-103-T1-S-D-A广泛应用于多种电子领域，包括但不限于以下场景：
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和降压/升压转换
2. DC-DC转换器中的开关元件
3. 负载开关和保护电路
4. 电池管理系统的功率控制
5. 汽车电子中的电机驱动和信号切换
6. 工业自动化设备中的信号隔离和功率传输
SFM-103-T1-S-D-B
SFM-103-T1-S-D-C
