类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：900V
　　最大漏极电流（ID）：11A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.42Ω（最大值）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2V~4V
　　最大功耗（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220

SFI9Z34 MOSFET 具有出色的电气性能和热管理能力，其主要特点包括低导通电阻、高击穿电压以及优异的耐用性。这种器件的导通电阻仅为 0.42Ω，能够有效降低导通损耗，提高系统效率。其最大漏源电压为 900V，使其适用于高压电源应用，例如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和电机驱动系统。此外，SFI9Z34 还具备高电流处理能力，额定漏极电流为 11A，适用于中高功率负载。
　　该 MOSFET 的栅极阈值电压在 2V 到 4V 之间，确保在常见逻辑电平下可靠驱动，同时具备良好的抗干扰能力。其 TO-220 封装提供了良好的散热性能，有助于在高负载条件下维持稳定的工作温度。SFI9Z34 在设计上考虑了热稳定性和长期可靠性，适用于需要长时间运行的工业设备和汽车电子系统。

SFI9Z34 MOSFET 主要用于需要高电压和高效率的功率电子应用中。常见的应用场景包括开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、电机驱动器、LED 驱动器以及工业自动化控制系统。此外，由于其高可靠性和耐压能力，SFI9Z34 也广泛应用于汽车电子领域，如车载充电器、电池管理系统（BMS）和电动工具驱动电路。在这些应用中，SFI9Z34 可以提供高效的功率控制，确保系统在高压和高电流条件下稳定运行。

STF9NK90Z, STF11NM60ND, IRF840