时间:2025/12/28 6:55:49
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SFH7740Z是一款由OSRAM(欧司朗)推出的高效率、表面贴装的红外发射二极管(IRED,Infrared Emitting Diode),专为需要高质量近红外光源的应用设计。该器件采用先进的芯片技术,优化了在典型波长850nm附近的辐射输出,具备良好的光束方向性和高辐射强度,适用于各种短距离到中距离的红外传感与通信场景。SFH7740Z封装紧凑,符合RoHS标准,适合自动化贴片生产流程,广泛应用于消费类电子产品、工业控制、安防监控以及智能传感器系统中。其设计注重热稳定性和长期可靠性,能够在较宽的环境温度范围内保持稳定的光电性能。此外,该器件具有低正向电压和高脉冲辐射输出能力,非常适合用于需要低功耗运行但要求高瞬时光输出的脉冲操作模式,例如在接近检测、手势识别或红外数据传输等应用中表现优异。得益于其黑色吸光封装材料,SFH7740Z有效减少了外部杂散光的反射干扰,提高了系统的信噪比和检测精度。
类型:红外发射二极管(IRED)
封装形式:表面贴装(SMD)
发光波长:850 nm(典型值)
辐射强度:1000 mW/sr(典型值,IF = 100 mA,脉冲)
正向电压:1.5 V(典型值,IF = 100 mA)
最大正向电流:1 A(脉冲)
峰值辐射波长:850 nm
半功率角:±20°
反向电压:5 V
工作温度范围:-40°C 至 +100°C
存储温度范围:-40°C 至 +100°C
封装颜色:黑色(吸光型)
引脚数:2
尺寸:3.5 mm x 3.5 mm x 2.0 mm(近似)
焊接方式:回流焊兼容
SFH7740Z的核心优势在于其卓越的光电转换效率与高度集中的光束分布。该器件采用了高性能的AlGaAs(铝镓砷)半导体材料体系,确保在850nm波段实现高强度的红外辐射输出,这一波长特别适合与硅基光电探测器(如PIN二极管或CMOS图像传感器)匹配使用,从而实现高效的信号接收。其辐射强度在100mA脉冲电流驱动下可达到1000mW/sr,表现出优异的瞬态发光能力,适用于需要高信噪比的脉冲调制应用,如红外测距、存在检测或无线数据链路。该器件的±20°半功率角提供了适中的光束集中度,在保证足够覆盖范围的同时避免了过度扩散导致的能量浪费,有利于提高系统能效。
SFH7740Z采用黑色环氧树脂封装,这种材料具有优异的吸光特性,能够显著降低封装内部对发射光的反射,减少杂散光干扰,从而提升传感器系统的抗干扰能力和检测准确性。这对于在复杂光照环境中工作的设备尤为重要,例如智能手机中的接近传感器或自动照明控制系统。此外,黑色封装还能有效吸收外部可见光,防止其进入并影响相邻的光敏元件,进一步增强了整体系统的光学隔离性能。
该器件支持高达1A的脉冲正向电流,允许在短时间内释放极高亮度的红外光,非常适合用于需要间歇性高功率输出的应用场景,同时其较低的正向电压(约1.5V)有助于降低系统功耗,延长电池寿命。其表面贴装封装形式不仅节省空间,还便于大规模自动化生产,提高了制造效率和产品一致性。SFH7740Z的工作温度范围宽达-40°C至+100°C,使其能够在严苛的工业或户外环境中稳定运行,展现出出色的环境适应性和长期可靠性。
SFH7740Z广泛应用于各类需要红外光源的电子系统中。在消费电子领域,它常被用作智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的接近传感器组件,用于检测用户是否将设备贴近耳朵,从而自动关闭屏幕以节省电量并防止误触。此外,它也用于自动亮度调节系统,通过反射光检测周围环境的人体活动状态。在智能家居和物联网设备中,SFH7740Z可用于人体存在检测、手势识别和非接触式开关控制,提升人机交互体验。
在安防监控系统中,该器件作为夜视摄像头的红外补光光源,提供均匀且高强度的850nm近红外照明,使摄像机在无可见光环境下仍能清晰成像。由于850nm波长会产生微弱红光(“红暴”),适合对隐蔽性要求不高的室内监控场景。
工业自动化领域中,SFH7740Z可用于物料计数、物体定位、液位检测等光电传感应用。其高脉冲输出能力使其适用于高速编码器或数据隔离传输系统中的红外发射端。此外,在医疗设备或健康监测装置中,也可用于基于红外光吸收原理的生命体征检测模块,如血氧饱和度或心率监测(需配合相应探测器和算法)。
由于其紧凑尺寸和高可靠性,SFH7740Z也适用于无人机、机器人避障系统和自动门感应器等移动或嵌入式平台,为其提供稳定可靠的红外发射源。
SFH7710AS
SFH7770
VSLY5940
IR333-A
L-109IRHT/A