制造商：OSRAM Opto Semiconductors
　　产品类型：红外发射二极管
　　波长：850 nm
　　封装类型：SMD
　　正向电压：典型值 1.5 V
　　反向电压：最大 5 V
　　正向电流：连续工作时典型 1 A
　　峰值正向电流：可达 1.5 A（脉冲模式）
　　发射角：±20°
　　功率耗散：最大 1 W
　　工作温度范围：-40°C 至 +100°C
　　存储温度范围：-40°C 至 +100°C
　　辐射强度：典型值 900 mW/sr @ 1 A
　　芯片材料：AlGaAs（铝镓砷）

SFH4715ASEA具备卓越的光电转换效率，其核心采用AlGaAs（铝镓砷）半导体材料制成的芯片，在850nm波长附近实现高效的红外光发射。这种材料体系不仅具有较高的内量子效率，还能在大电流驱动下保持稳定的发光性能，从而满足高亮度应用场景的需求。该器件设计为表面贴装型（SMD），结构紧凑，热阻较低，有利于热量快速传导至PCB板，提升整体散热能力，延长使用寿命。其辐射强度高达900 mW/sr（毫瓦每球面度）@ 1A驱动电流，确保在远距离或低照度环境下仍能提供充足的红外照明。
　　该器件具有±20°的窄发射角，意味着其光线集中度高，能量分布更加聚焦，适合需要定向照射的应用场景，如监控摄像头的补光灯或光学感应器的信号发射端。相比于宽角度发射器件，这种特性可减少光能浪费，提高有效利用率，并降低对周围环境的干扰。此外，窄光束角还有助于提升成像系统的对比度和清晰度，特别是在夜间或低光条件下工作的闭路电视（CCTV）系统中表现尤为突出。
　　SFH4715ASEA支持高达1A的连续正向电流和1.5A的脉冲电流操作，使其能够灵活适应不同驱动模式，包括连续发光和脉冲调制方式。在脉冲模式下，可通过占空比控制实现更高的瞬时亮度，同时避免过热问题，非常适合用于短时间高亮补光或飞行时间（ToF）测距等需要高峰值功率的应用。器件的正向电压典型值为1.5V，属于低电压驱动类型，兼容主流电源管理电路设计，易于集成到各种便携式或嵌入式系统中。
　　该红外LED经过严格的老化测试和环境耐受性验证，可在-40°C至+100°C的宽温度范围内稳定工作，适用于工业、户外及恶劣环境下的长期运行。其封装材料具备良好的抗紫外线和耐湿性能，防止因环境因素导致的性能衰减。此外，器件符合RoHS环保标准，不含铅、汞等有害物质，支持无铅回流焊工艺，适应现代绿色制造要求。综合来看，SFH4715ASEA是一款高性能、高可靠性的红外发射解决方案，适用于对光强、方向性和稳定性有较高要求的应用场合。

SFH4715ASEA广泛应用于需要高质量红外光源的电子系统中。最常见的用途是作为安全监控摄像头的红外补光灯，在夜间或光线不足的环境中提供不可见的照明，使摄像机能够捕捉清晰的黑白影像。由于其高辐射强度和窄发射角特性，多个该型号LED可组合成阵列，形成远距离红外照明模块，适用于周界防护、交通监控和远程观测等场景。
　　在机器视觉和工业自动化领域，该器件可用于物体识别、定位和缺陷检测系统的光源组件。利用其稳定的红外输出，配合特定滤波器和图像处理算法，可以在复杂光照条件下实现高对比度成像，提升检测精度与稳定性。此外，它也常用于光学传感器中，例如接近检测、液位感应、烟雾探测等，通过发射红外光并接收反射信号来判断目标状态。
　　在消费类电子产品中，SFH4715ASEA可用于智能家居设备中的存在感知功能，如智能门铃、自动照明控制系统等。其不可见光特性保证了用户隐私不受干扰，同时实现了全天候感应能力。另外，在生物识别技术如虹膜识别或面部识别系统中，该红外LED也可作为辅助光源，帮助提升识别准确率，尤其是在暗光环境下。
　　在通信领域，该器件还可用于短距离红外数据传输系统，例如IrDA兼容设备之间的点对点通信，或作为光链路中的发射单元。其快速响应时间和高调制带宽使其适合高频脉冲信号的发送，支持较高速率的数据交换。此外，该器件也被用于飞行时间（Time-of-Flight, ToF）传感器模组中，作为主动光源参与三维深度信息采集，应用于AR/VR、机器人导航和手势识别等前沿科技领域。

SFH4715AS
　　SFH4716AS
　　SFH4716ASEA
　　TSAL7400
　　IR333
　　L-850-02