时间：2025/12/29 14:11:26
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SFF4N60是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件适用于高电压、高电流的功率转换应用，如开关电源、DC-DC转换器、逆变器、电机控制和照明系统等。SFF4N60具有低导通电阻、高击穿电压和优良的热稳定性，能够在恶劣的工作条件下保持稳定运行。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：600V
最大漏极电流(Id)：4A（连续）
最大栅源电压(Vgs)：±30V
导通电阻(Rds(on))：最大值为2.5Ω（典型值可能更低）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-220、D2PAK等
最大功耗(Pd)：50W
栅极电荷(Qg)：约14nC
漏源击穿电压(BR)：600V
SFF4N60具备多项优良特性，适合多种功率应用。首先，其600V的高漏源电压使其适用于高电压转换场合，如电源适配器和工业电源系统。其次，该MOSFET的导通电阻较低，在典型工作条件下可有效减少功率损耗，提高系统效率。此外，SFF4N60的封装设计优化了散热性能，确保在高负载情况下仍能维持较低的结温，从而提高可靠性和使用寿命。
在动态性能方面，SFF4N60的栅极电荷较低，有助于加快开关速度，减少开关损耗，适用于高频开关应用。同时，该器件的短路耐受能力较强，能够在短时间内承受较高的电流冲击而不损坏，增强了系统的稳定性。SFF4N60还具备良好的温度稳定性，其导通电阻随温度变化较小，有助于维持稳定的导通状态，避免因温升导致的性能下降。
此外，SFF4N60的封装形式多样，包括TO-220和D2PAK等，便于用户根据不同的PCB布局和散热需求进行选择。TO-220封装适用于传统的通孔焊接工艺，而D2PAK则适合表面贴装，提高了设计的灵活性。
SFF4N60广泛应用于多种电力电子系统中。例如，在开关电源（SMPS）中，它可作为主开关管，用于将输入的直流电压转换为高频交流电压，再通过变压器进行隔离和降压。在电机驱动系统中，SFF4N60可用于H桥结构，实现电机的正反转控制和调速功能。在照明系统中，该器件可用于LED驱动电源，确保恒定的电流输出以提高照明质量和寿命。
此外，SFF4N60还可用于逆变器系统，如太阳能逆变器和不间断电源（UPS），在这些系统中负责将直流电转换为交流电供负载使用。在工业自动化设备中，该MOSFET可用于控制各种执行机构，如电磁阀、继电器和传感器，实现精准的电力控制。由于其优异的热稳定性和耐压能力，SFF4N60也适用于高温和高湿度的恶劣工业环境。
STF4N60K5、FQP4N60、IRFBC415、FQA4N60、2SK2141
