时间：2025/8/7 17:26:06
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SFF12N60是一种N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高电压和高电流的应用场合。其主要特点包括高耐压、低导通电阻以及良好的热稳定性，适用于开关电源、电机驱动和功率放大器等领域。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：600V
最大栅源电压(Vgs)：±30V
最大漏极电流(Id)：12A
导通电阻(Rds(on))：0.35Ω
功率耗散(Pd)：83W
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
SFF12N60具备低导通电阻的特性，可以有效降低导通损耗，提高系统效率。其高耐压能力（600V）使其适用于高电压工作环境，例如开关电源和马达控制电路。
该器件采用先进的平面技术制造，确保了优异的稳定性和耐用性。此外，SFF12N60还具有良好的热性能，能够承受较高的功耗，并在高温条件下稳定工作。
它的栅极驱动设计允许使用较低的驱动电压，从而简化了驱动电路的设计并降低了功耗。SFF12N60的封装形式通常为TO-220，这种封装便于散热，并且易于安装在标准的散热片上。
在短路和过载情况下，该器件还具备一定的抗过载能力，但需要外部电路保护以确保长期可靠性。
SFF12N60广泛应用于各种电力电子设备中，如开关电源(SMPS)、直流-直流转换器、马达驱动器、照明控制系统、逆变器和充电器等。在工业自动化设备中，它常用于功率开关控制电路，提供高效的能量转换。此外，它也适用于消费类电子产品中的功率管理模块，例如电视电源、LED驱动器等。
在新能源领域，SFF12N60可用于太阳能逆变器和电动车充电系统中，作为关键的功率转换器件。其高可靠性和良好的热性能使其成为高温环境下工作的理想选择。
FQA12N60C, IRFBC20, STP12N60M5, FDPF12N60
